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这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。通过石墨加热器产生的高温将其熔化，然后，对熔化的硅液稍降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长，接着，控制籽晶生长出一段长为100mm左右，直径为3～5mm的细颈，用于高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程是引晶，随后。把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚单晶硅生长炉的原理简介/我有更好的/首先放大晶体直径到工艺要求的大小。直拉法，也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法，用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单，容易实现自动控制，生产效率高，易于大直径单晶，容易控制单晶中杂质浓度，可以低电阻率单晶。

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进行半自动拉晶，可以在显示器上修改，立即生效，操作方便。自动工艺可以单步执行也可以连续自动流程。在温度闭环上增加功率限制，信号故障判断诊断功能，可以排除观察孔污染，信号扰。因此系统结构简单，具有用电省，发热小的特点。系统可靠性很高，不会死机。同时触摸屏和PLC间工作，连接仅仅使用1根通讯线即可。(2)控制软件。工业彩色触摸屏电气特点(1)本系统采用PLC系统能按照工艺员写入的工艺文件加热电源故障(4)电气硬件设置整个机箱布局合理，简单。同时带有双色声光报*灯进行提示。两个电极孔孔距：480mm25，耗水量：2 mm27，主机大高度：6800mm28。直接将断路器作手柄凸出到内门外，柜门上直接断路器作手柄，柜外作，采用固定分隔柜，水平母线室与单元之间，单元与单元之间加隔离防护，采用抽屉柜，单元与母线室，接线端子完全隔离。